Name: DMN65D8LQ-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN65D8LQ-7DITR-ND
Price: 0.2178 EUR
Availability: InStock

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DMN65D8LQ-7
N.º de producto de DigiKey	DMN65D8LQ-7DITR-ND - Cinta y rollo (TR) DMN65D8LQ-7DICT-ND - Cinta cortada (CT) DMN65D8LQ-7DIDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Diodes Incorporated
Número de pieza del fabricante	DMN65D8LQ-7
Descripción	MOSFET N-CH 60V 310MA SOT23
Plazo estándar del fabricante	40 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 60 V 310mA (Ta) 370mW (Ta) SOT-23-3
Hoja de datos	Hoja de datos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 0.87 nC @ 10 V
Fabricante Diodes Incorporated	Vgs (máx.) ±20V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 22 pF @ 25 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 370mW (Ta)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Grado Uso automotriz
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60 V	Calificación AEC-Q101
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 310mA (Ta)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 5V, 10V	Paquete del dispositivo del proveedor SOT-23-3
Rds On (máx) @ Id, Vgs 3Ohm a 115mA, 10V	Paquete / Caja (carcasa) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs(th) (máx) a Id 2V a 250µA	Número de producto base DMN65

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Recursos adicionales

Sustitutos (2)

N.° de pieza	Fabricante	Cantidad disponible	N.º de producto de DigiKey	Precio por unidad	Tipo de reemplazo
2N7002E-T1-GE3	Vishay Siliconix	19	2N7002E-T1-GE3CT-ND	0,60000 €	Similar
2N7002K_R1_00001	Panjit International Inc.	52.472	3757-2N7002K_R1_00001CT-ND	0,10000 €	Similar

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Cinta y rollo (TR)

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