Name: DMN3732UFB4Q-7B
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMN3732UFB4Q-7BTR-ND
Price: 0.3025 EUR
Availability: InStock

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DMN3732UFB4Q-7B
N.º de producto de DigiKey	31-DMN3732UFB4Q-7BTR-ND - Cinta y rollo (TR) 31-DMN3732UFB4Q-7BCT-ND - Cinta cortada (CT) 31-DMN3732UFB4Q-7BDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Diodes Incorporated
Número de pieza del fabricante	DMN3732UFB4Q-7B
Descripción	MOSFET BVDSS: 25V~30V X2-DFN1006
Plazo estándar del fabricante	40 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 30 V 1.3H (Ta) 490mW (Ta) X2-DFN1006-3
Hoja de datos	Hoja de datos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 0.9 nC @ 4.5 V
Fabricante Diodes Incorporated	Vgs (máx.) ±8V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 40.8 pF @ 25 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 490mW (Ta)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Grado Uso automotriz
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30 V	Calificación AEC-Q101
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 1.3H (Ta)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 1.8V, 4.5V	Paquete del dispositivo del proveedor X2-DFN1006-3
Rds On (máx) @ Id, Vgs 460mOhm a 200mA, 4.5V	Paquete / Caja (carcasa) 3-XFDFN
Vgs(th) (máx) a Id 950mV a 250µA	Número de producto base DMN3732

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Cinta cortada (CT) & Digi-Reel®

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Cinta y rollo (TR)

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