Name: DMN3732UFB4-7B
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMN3732UFB4-7BTR-ND
Price: 0.2541 EUR
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DMN3732UFB4-7B
N.º de producto de DigiKey	31-DMN3732UFB4-7BTR-ND - Cinta y rollo (TR) 31-DMN3732UFB4-7BCT-ND - Cinta cortada (CT) 31-DMN3732UFB4-7BDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Diodes Incorporated
Número de pieza del fabricante	DMN3732UFB4-7B
Descripción	MOSFET BVDSS: 25V~30V X2-DFN1006
Plazo estándar del fabricante	40 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 30 V 1.3H (Ta) 490mW (Ta) X2-DFN1006-3
Hoja de datos	Hoja de datos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 950mV a 250µA
Fabricante Diodes Incorporated	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 0.9 nC @ 4.5 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±8V
Estado de pieza Activo	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 40.8 pF @ 25 V
Tipo FET Canal N	Disipación de potencia (Máx.) 490mW (Ta)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 1.3H (Ta)	Paquete del dispositivo del proveedor X2-DFN1006-3
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 1.8V, 4.5V	Paquete / Caja (carcasa) 3-XFDFN
Rds On (máx) @ Id, Vgs 460mOhm a 200mA, 4.5V	Número de producto base DMN3732

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N.° de pieza	Fabricante	Cantidad disponible	N.º de producto de DigiKey	Precio por unidad	Tipo de reemplazo
DMN3732UFB4-7	Diodes Incorporated	0	31-DMN3732UFB4-7TR-ND	0,00000 €	Equivalente paramétrico
DMN3732UFB4Q-7B	Diodes Incorporated	5.770	31-DMN3732UFB4Q-7BCT-ND	0,25000 €	Equivalente paramétrico

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