Name: DMN3200U-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN3200U-7DITR-ND
Price: 0.363 EUR
Availability: InStock

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DMN3200U-7
N.º de producto de DigiKey	DMN3200U-7DITR-ND - Cinta y rollo (TR) DMN3200U-7DICT-ND - Cinta cortada (CT) DMN3200U-7DIDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Diodes Incorporated
Número de pieza del fabricante	DMN3200U-7
Descripción	MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT23-3
Plazo estándar del fabricante	12 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 30 V 2.2A (Ta) 650mW (Ta) SOT-23-3
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	DMN3200U-7 Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Diodes Incorporated
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	2.2A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	1.5V, 4.5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	90mOhm a 2.2A, 4.5V
Vgs(th) (máx) a Id	1V a 250µA
Vgs (máx.)	±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	290 pF @ 10 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	650mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	SOT-23-3
Paquete / Caja (carcasa)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Número de producto base	DMN3200