Name: DMN1019USN-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN1019USN-13DITR-ND
Price: 0.6171 EUR
Availability: InStock

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DMN1019USN-13
N.º de producto de DigiKey	DMN1019USN-13DITR-ND - Cinta y rollo (TR) DMN1019USN-13DICT-ND - Cinta cortada (CT) DMN1019USN-13DIDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Diodes Incorporated
Número de pieza del fabricante	DMN1019USN-13
Descripción	MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59
Plazo estándar del fabricante	20 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 12 V 9.3A (Ta) 680mW (Ta) SC-59-3
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Diodes Incorporated
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	12 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	9.3A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	1.2V, 2.5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	10mOhm a 9.7A, 4.5V
Vgs(th) (máx) a Id	800mV a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	50.6 nC @ 8 V
Vgs (máx.)	±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	2426 pF @ 10 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	680mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	SC-59-3
Paquete / Caja (carcasa)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Número de producto base	DMN1019

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