
SI2329DS-T1-GE3 | |
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N.º de producto de DigiKey | SI2329DS-T1-GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) SI2329DS-T1-GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) SI2329DS-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | SI2329DS-T1-GE3 |
Descripción | MOSFET P-CH 8V 6A SOT23-3 |
Plazo estándar del fabricante | 22 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal P Montaje en superficie 8 V 6A (Tc) 2.5W (Tc) SOT-23-3 (TO-236) |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Modelos EDA/CAD | SI2329DS-T1-GE3 Modelos |
Tipo | Descripción | Seleccionar todo |
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Categoría | ||
Fabricante | ||
Serie | ||
Embalaje | Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® | |
Estado de pieza | Activo | |
Tipo FET | ||
Tecnología | ||
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 8 V | |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | ||
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) | 1.2V, 4.5V | |
Rds On (máx) @ Id, Vgs | 30mOhm a 5.3A, 4.5V | |
Vgs(th) (máx) a Id | 800mV a 250µA | |
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 29 nC @ 4.5 V | |
Vgs (máx.) | ±5V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 1485 pF @ 4 V | |
Característica de FET | - | |
Disipación de potencia (Máx.) | 2.5W (Tc) | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Calificación | - | |
Tipo de montaje | Montaje en superficie | |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-23-3 (TO-236) | |
Paquete / Caja (carcasa) | ||
Número de producto base |
Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
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1 | 0,60000 € | 0,60 € |
10 | 0,40300 € | 4,03 € |
100 | 0,33170 € | 33,17 € |
500 | 0,25514 € | 127,57 € |
1.000 | 0,23046 € | 230,46 € |
Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
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3.000 | 0,19910 € | 597,30 € |
6.000 | 0,18330 € | 1.099,80 € |
9.000 | 0,16933 € | 1.523,97 € |
15.000 | 0,16622 € | 2.493,30 € |
21.000 | 0,16086 € | 3.378,06 € |
30.000 | 0,16084 € | 4.825,20 € |
Precio unitario sin IVA: | 0,60000 € |
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Precio unitario con IVA: | 0,72600 € |