Nuevo en DigiKey
Canal N Orificio pasante 167A (Tc) 555W (Tc) TO-247-4
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AC2M0013120K

N.º de producto de DigiKey
5875-AC2M0013120K-ND
Fabricante
APSEMI
Número de pieza del fabricante
AC2M0013120K
Descripción
SIC MOSFET N-CH 1200V 167A TO247
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Orificio pasante 167A (Tc) 555W (Tc) TO-247-4
Hoja de datos
 Hoja de datos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
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Categoría
Fabricante
APSEMI
Serie
*
Embalaje
Tubo
Estado de pieza
Activo
Tipo FET
Canal N
Tecnología
SiCFET (Carburo de silicio)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
167A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
18V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
13mOhm a 100A, 18V
Vgs(th) (máx) a Id
2.9V a 12mA
Vgs (máx.)
+22V, -10V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
555W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
-
Tipo de montaje
Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-247-4
Paquete / Caja (carcasa)
TO-247-4
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