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Canal N Montaje en superficie 100 V 12A (Ta), 150A (Tc) 1.9W (Ta), 333W (Tc) TO-263 (D2PAK)
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AOB410L

N.º de producto de DigiKey
785-AOB410L-ND
Fabricante
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Número de pieza del fabricante
AOB410L
Descripción
MOSFET N-CH 100V TO263
Plazo estándar del fabricante
20 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Montaje en superficie 100 V 12A (Ta), 150A (Tc) 1.9W (Ta), 333W (Tc) TO-263 (D2PAK)
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Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar todo
Categoría
Fabricante
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Serie
SDMOS™
Embalaje
Granel
Estado de pieza
Activo
Tipo FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
12A (Ta), 150A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
7V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
6.5mOhm a 20A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
129 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
7950 pF @ 50 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
1.9W (Ta), 333W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-263 (D2PAK)
Paquete / Caja (carcasa)
TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
Número de producto base
AOB410
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Cantidad
Todos los precios se expresan en EUR
Granel
Cantidad Precio por unidad Precio ext.
8001,38684 €1.109,47 €
Paquete estándar del fabricante
Precio unitario sin IVA:1,38684 €
Precio unitario con IVA:1,67808 €