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IGBT


Los IGBT (transistores bipolares de puerta aislada) individuales son dispositivos semiconductores de varias capas con tres terminales que pueden manejar altas corrientes y tienen características de conmutación rápida. Se caracterizan según su tipo, voltaje de ruptura de colector a emisor, corriente de colector, corriente de colector pulsada, VCE (ON), energía de conmutación y carga de puerta.