MOSFET de 60 V de canal N doble de drenaje común SISF20DN-T1-GE3

El SISF20DN-T1-GE3 de Vishay Siliconix es un MOSFET de 60 V de canal N doble de drenaje común en el paquete compacto PowerPAK® 1212-8SCD térmicamente mejorado. Diseñado para aumentar la densidad de potencia y la eficiencia en sistemas de gestión de baterías, cargadores inalámbricos y enchufables, convertidores de CC/CC y fuentes de alimentación, el SiSF20DN de Vishay Siliconix ofrece la R_S-S(ON) más baja de la industria en un dispositivo de drenaje común de 60 V.

El doble MOSFET proporciona R_S-S(ON) hasta 10 mΩ típico a 10 V, actualmente la más baja entre los dispositivos de 60 V en un espacio de 3 mm x 3 mm. Este valor también representa una mejora del 42.5 % sobre la siguiente mejor solución en este espacio y es un 89 % más bajo que los dispositivos de la generación anterior de Vishay. El resultado son caídas de voltaje reducidas a través de la ruta de alimentación y pérdidas de potencia minimizadas para una mayor eficiencia. Para una mayor densidad de potencia, el área de tiempo de la R_S1S2(ON) de SiSF20DN es 46.6 % más baja que el siguiente mejor MOSFET alternativo, incluso al incluir soluciones más grandes de 6 mm x 5 mm

Para ahorrar espacio en la placa de CI, reducir el recuento de componentes y simplificar los diseños, el dispositivo utiliza una construcción de paquete optimizada con dos MOSFET de canal N TrenchFET® Gen IV monolíticamente integrados en una configuración de drenaje común. Los contactos de origen del SiSF20DN se colocan uno al lado del otro con conexiones ampliadas que aumentan el área de contacto con la placa de CI y reducen aún más la resistividad en comparación con los tipos de paquetes duales convencionales. Este diseño hace que el MOSFET sea ideal para la conmutación bidireccional en sistemas de 24 V y aplicaciones industriales, incluida la automatización de fábricas, herramientas eléctricas, drones, motores, electrodomésticos, robótica, seguridad/vigilancia y alarmas de humo. El SiSF20DN cumple al 100 % con las pruebas R_g y UIS, cumple con la directiva RoHS y está libre de halógenos