
SISF20DN-T1-GE3 | |
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N.º de producto de DigiKey | SISF20DN-T1-GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) SISF20DN-T1-GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) SISF20DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | SISF20DN-T1-GE3 |
Descripción | MOSFET 2N-CH 60V 14A PWRPAK1212 |
Plazo estándar del fabricante | 29 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | MOSFET - Arreglos 60V 14A (Ta), 52A (Tc) 5.2W (Ta), 69.4W (Tc) Montaje en superficie PowerPAK® 1212-8SCD Doble |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Tipo | Descripción | Seleccionar todo |
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Categoría | ||
Fabricante | Vishay Siliconix | |
Serie | ||
Embalaje | Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® | |
Estado de pieza | Activo | |
Tecnología | MOSFET (óxido de metal) | |
Configuración | Dos canal N (doble) | |
Característica de FET | - | |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 60V | |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | 14A (Ta), 52A (Tc) | |
Rds On (máx) @ Id, Vgs | 13mOhm a 7A, 10V | |
Vgs(th) (máx) a Id | 3V a 250µA | |
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 33nC a 10V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 1290pF a 30V | |
Potencia - Máx. | 5.2W (Ta), 69.4W (Tc) | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Tipo de montaje | Montaje en superficie | |
Paquete / Caja (carcasa) | PowerPAK® 1212-8SCD Doble | |
Paquete del dispositivo del proveedor | PowerPAK® 1212-8SCD Doble | |
Número de producto base |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | 2,00000 € | 2,00 € |
| 10 | 1,28400 € | 12,84 € |
| 100 | 0,87460 € | 87,46 € |
| 500 | 0,69920 € | 349,60 € |
| 1.000 | 0,67989 € | 679,89 € |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 3.000 | 0,57124 € | 1.713,72 € |
| 6.000 | 0,55547 € | 3.332,82 € |
| Precio unitario sin IVA: | 2,00000 € |
|---|---|
| Precio unitario con IVA: | 2,42000 € |

