Vishay / Siliconix

MOSFET TrenchFET Gen V

Los MOSFET de 80 V, 100 V y 150 V de Vishay presentan un muy bajo factor de mérito (FOM) RDS a Qg

Imagen de los MOSFET TrenchFET® Gen V de Vishay SiliconixLos MOSFET de potencia TrenchFET® Gen V de Vishay ofrecen una mayor densidad de potencia y eficiencia para topologías aisladas y no aisladas. La resistencia en estado encendido ultrabaja, el funcionamiento a altas temperaturas de hasta +175 ºC y el paquete PowerPAK® de Vishay, que ahorra espacio, ayudan a fomentar la fiabilidad a nivel de placa con una construcción inalámbrica de enlace. Esta serie está 100 % probada por RG y UIS, cumple con la directiva RoHS y está libre de halógenos.

Características
  • Muy bajo FOM RDS a Qg
  • Ajustados para el más bajo FOM RDS a QOSS
Aplicaciones
  • Rectificación sincrónica
  • Interruptores de lado primario
  • Convertidores de CC/CC
  • Microinversores solares
  • Interruptores de accionamiento de motor
  • Interruptores de batería y carga
  • Unidades de motor industriales
  • Cargadores de baterías

Gen V TrenchFET MOSFETs

ImagenNúmero de pieza del fabricanteDescripciónVoltaje de drenaje a fuente (Vdss)Cantidad disponiblePrecioVer detalles
N-CHANNEL 80 V (D-S) 175C MOSFETSIDR5802EP-T1-RE3N-CHANNEL 80 V (D-S) 175C MOSFET80 V525 - Inmediata$3.08Ver detalles
N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWESIR5802DP-T1-RE3N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE80 V6136 - Inmediata$2.26Ver detalles
N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POWSIR5102DP-T1-RE3N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW100 V4568 - Inmediata$3.22Ver detalles
N-CHANNEL 100 V (D-S) 175C MOSFESIDR5102EP-T1-RE3N-CHANNEL 100 V (D-S) 175C MOSFE100 V5610 - Inmediata$3.15Ver detalles
N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POWSIR578DP-T1-RE3N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW150 V4051 - Inmediata$2.57Ver detalles
N-CHANNEL 150 V (D-S) 175C MOSFESIDR578EP-T1-RE3N-CHANNEL 150 V (D-S) 175C MOSFE150 V6375 - Inmediata$3.39Ver detalles
Publicado: 2023-10-16

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