SIDR668DP-T1-GE3
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SIDR668DP-T1-GE3
SIDR668DP-T1-GE3

SIDR5102EP-T1-RE3

N.º de producto de DigiKey
742-SIDR5102EP-T1-RE3TR-ND - Cinta y rollo (TR)
742-SIDR5102EP-T1-RE3CT-ND - Cinta cortada (CT)
742-SIDR5102EP-T1-RE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante
Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante
SIDR5102EP-T1-RE3
Descripción
N-CHANNEL 100 V (D-S) 175C MOSFE
Plazo estándar del fabricante
33 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Montaje en superficie 100 V 28.2A (Ta), 126A (Tc) 7.5W (Ta), 150W (Tc) PowerPAK® SO-8DC
Hoja de datos
 Hoja de datos
Modelos EDA/CAD
SIDR5102EP-T1-RE3 Modelos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar todo
Categoría
Fabricante
Vishay Siliconix
Serie
TrenchFET® Gen V
Embalaje
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Estado de pieza
Activo
Tipo FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
28.2A (Ta), 126A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
7.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
4.1mOhm a 20A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
51 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
2850 pF @ 50 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
7.5W (Ta), 150W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor
PowerPAK® SO-8DC
Paquete / Caja (carcasa)
PowerPAK® SO-8
Número de producto base
SIDR5102
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En stock: 5.610
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Cantidad
Todos los precios se expresan en EUR
Cinta cortada (CT) & Digi-Reel®
Cantidad Precio por unidad Precio ext.
13,15000 €3,15 €
102,06200 €20,62 €
1001,44130 €144,13 €
5001,26462 €632,31 €
*Todos los pedidos de Digi-Reel añadirán una cuota de carrete de 5,50 €.
Cinta y rollo (TR)
Cantidad Precio por unidad Precio ext.
3.0001,03320 €3.099,60 €
Paquete estándar del fabricante
Precio unitario sin IVA:3,15000 €
Precio unitario con IVA:3,81150 €