Transistores de efecto de campo (FET) de nitruro de galio (GaN) de tercera generación (Gen III) series TP65H050WS/TP65H035WS

Transphorm ofrece las series TP65H050WS y TP65H035WS que son FET de GaN de 650 V Gen III. Producen una EMI más baja, mayor inmunidad al ruido de la compuerta y mayor margen de sobrecarga en aplicaciones de circuitos. La serie TP65H050WS de 50 mΩ y la serie TP65H035WS de 35 mΩ están disponibles en paquetes TO-247 estándar.

Un MOSFET y las modificaciones de diseño permiten que los dispositivos Gen III ofrezcan un voltaje de umbral incrementado (inmunidad al ruido) a 4 V desde 2,1 V (Gen II), lo que elimina la necesidad de un controlador de compuerta negativo. La confiabilidad de la compuerta aumentó de Gen II en un 11 % hasta ±20 V máximo. Esto da como resultado una conmutación más silenciosa y la plataforma ofrece una mejora del rendimiento a niveles de corriente más altos con un simple circuito externo.

El 1600T de Seasonic Electronics Company es una plataforma de poste totem sin puente de 1600 W que utiliza estos FET de GaN de alto voltaje para brindar una eficiencia de corrección del factor de potencia (PFC) del 99 % en cargadores de baterías (ciclomotor electrónico, industriales y más), alimentación de PC, servidores , y los mercados de juego. Los beneficios de usar estos FET con la plataforma basada en silicona 1600T incluyen una mayor eficiencia en un 2 % y una mayor densidad de potencia en un 20 %.

La plataforma 1600T emplea el TP65H035WS de Transphorm para lograr una mayor eficiencia en los circuitos de conmutación dura y suave y brinda a los usuarios opciones al diseñar productos de sistemas de energía. El TP65H035WS se asocia con los controladores de compuerta más utilizados para simplificar los diseños.