Recursos de diseño

Kits de evaluación

Notas de aplicaciones

AN0002: características de los FET (transistores de efecto de campo) de potencia de GaN de Transphorm

AN0003: distribución y sondeo de la placa de circuito impreso para los FET de GaN

AN0004: diseño de puentes conmutados duros con GaN

AN0006: tolerancia transitoria del VGS (voltaje puerta-fuente ) de los FET de GaN de Transphorm

AN0007: recomendaciones de soldadura de segundo nivel sin plomo para el reflujo de fase de vapor del PQFN88

AN0008: voltaje de drenaje y clasificaciones de avalancha para los FET de GaN

AN0009: circuito externo recomendado para los FET de GaN de Transphorm

AN0010: FET de GaN en paralelo mediante perlas de ferrita de drenaje y amortiguadores RC para aplicaciones de alta potencia

AN0011: nota de aplicación para los FET de GaN de PQFN (encapsulado de potencia cuadrado plano sin plomo ) en paralelo con PCB (placas de circuito impreso )

Guías de diseño

• DG001: diseño del tanque resonante LLC para un cargador en placa de vehículo eléctrico de 3.3 kW con voltaje de salida de amplio rango
• DG002: convertidor elevador en CRM (modo de conducción crítico ) bifásico de alta eficiencia de 2.3 kW para conversores solares
• DG004: Prueba de pulso múltiple para la verificación de la distribución de GaN
• Código del procesador de señal digital (DSP) de DG004
• DG005: circuito disyuntor de sobrecorriente ultrarrápido para la creación de prototipos
• Archivos de diseño de DG005
• DG006: diseño LLC de 600 W DC a DC mediante los FET de GaN
• Archivos de diseño de DG006
• DG007: puente completo de cambio de fase de 200 kHz para un cargador en placa de vehículo eléctrico de 3.3 kW
• DG008: puente activo dual de 100 kHz para un cargador de batería bidireccional de 3.3 kW

Modelos Spice por n.º de pieza

• TPH3202Px/Lx (600 V, 290 mΩ) | v 2.0
• TPH3206Px/Lx (600 V, 150 mΩ) | v 2.0
• TPH3208PS/Lxx (650 V, 110 mΩ) | v 2.0
• TPH3212PS (650 V, 72 mΩ) | v 2.0
• TPH3205WSB/WSBQA (650 V, 49 mΩ) | v 2.3
• TPH3207WS (650 V, 35 mΩ) | v 2.2
• TP65H070LxG (650 V, 50 mΩ) | v 0.1
• TP65H050WS (650 V, 50 mΩ) | v 0.1
• TP65H035WS (650 V, 35 mΩ) | v 0.1
• Descargar todos los modelos

Revise los artículos técnicos que detallan una variedad de temas relacionados con el diseño con GaN

Barr, R., Haller, J., Shono, K., Georgieva, E., McKay, J., Smith, P., Smith, K., Rakesh, L., Yifeng, Y., Fiabilidad del interruptor de GaN de alto voltaje, noviembre de 2018

Parikh, Primit; Smith, Kurt; Barr, Ronald; et al., La comercialización de GaN de 650 voltios alcanza los estándares automotrices, ECS Transactions, septiembre de 2017

Parikh, Primit, Impulso de la adopción de FET de GaN de alto voltaje (opinión de experto), IEEE Power Electronics Magazine, septiembre de 2017

Huang, Zan; Cuadra, Jason, Impedimento de la oscilación en frecuencia muy alta (VHF) del dispositivo de GaN, Sesión Industrial de APEC 2017, marzo de 2017

Zuk, Philip; Campeau, Gaetan, Cómo diseñar con GaN en menos de una hora, Sesión de Expositores de APEC 2017, marzo de 2017

Smith, Kurt; Barr, Ronald, Fiabilidad del ciclo de vida de los dispositivos de potencia de GaN, documento oficial, marzo de 2017

Wang, Zhan; Wu, Yifeng, Corrección del factor de potencia (PFC) del tótem sin puente verdadero de una eficiencia del 99 %, con base en los transistores de alta movilidad de electrones (HEMT) de GaN

Wang, Zhan; Honea, Jim; Wu, Yifeng, Diseño e implementación de un conversor de tres niveles de alta eficiencia mediante HEMT de (GaN), mayo de 2015 (requiere acceso a IEEE)

Zhou, Liang; Wu, Yifeng; Honea, Jim; Wang, Zhan, Corrección del PFC del tótem sin puente verdadero de alta eficiencia, con base en los HEMT de GaN: Desafíos del diseño y soluciones rentables, mayo de 2015 (requiere acceso a IEEE)

Wang, Zhan; Wu, Yifeng; Honea, Jim; Zhou, Liang, HEMT de GaN en paralelo para convertidores de potencia de puentes sin diodo, marzo de 2015

Kikkawa, T., et al, HEMT de GaN altamente fiables calificados según JEDEC de 600 V sobre sustratos de silicio (Si), diciembre de 2014 (requiere acceso a IEEE)

Wu, Yifeng; Guerrero, Jose; McKay, Jim; Smith, Kurt, Avances en la fiabilidad y el espacio de operación de los dispositivos de potencia de GaN de alto voltaje sobre sustratos de Si, octubre de 2014 (requiere acceso a IEEE)

Wang, Zhan; Honea, Jim; Yuxiang Shi; Hui Li, Investigación de circuitos de controlador para los HEMT de GaN en paquetes con plomo, octubre de 2014

Wu, Y.; Gritters, J.; Shen, L.; Smith, R.P.; Swenson, B., HEMT de GaN sobre Si de clase kV que activan un convertidor de una eficiencia del 99 % a 800 V y 100 kHz, junio de 2014 (requiere acceso a IEEE)

Wu, Y.; Gritters, J.; Shen, L.; Smith, R.P.; McKay, J.; Barr, R.; Birkhahn, R., Rendimiento y robustez de los transistores de potencia de GaN sobre Si de primera generación de 600 V, octubre de 2013 (requiere acceso a IEEE)

Parikh, Primit; Wu, Yifeng; Shen, Likun, Comercialización de dispositivos de alta potencia de GaN sobre Si de 600 V, mayo de 2013 (requiere acceso a IEEE)

Wu, Yifeng, El GaN ofrece ventajas para futuros vehículos eléctricos híbridos (HEV), marzo de 2013

Wu, Y.; Kebort, D.; Guerrero, J.; Yea, S.; Honea, J.; Shirabe, K.; Kang, J., Conversor de impulsor de motor de alta frecuencia y sin diodo de GaN con salida de onda sinusoidal pura, octubre de 2012

Shirabe, Kohei; Swamy, Mahesh; Kang, Jun-Koo; Hisatsune, Masaki; Wu, Yifeng; Kebort, Don; Honea, Jim, Ventajas de la modulación por ancho de pulsos (PWM) de alta frecuencia en aplicaciones de impulsor de motor de corriente alterna (CA), septiembre de 2012 (requiere acceso a IEEE)

Wu, Y.; Coffie, R.; Fichtenbaum, N.; Dora, Y.; Suh, C.S.; Shen, L.; Parikh, P.; Mishra, Reino Unido, Solución de GaN total a la conversión de energía eléctrica, junio de 2011 (requiere acceso a IEEE)

Casos de uso del cliente

GaN de Transphorm en una plataforma de múltiples aplicaciones

GaN de Transphorm en fuentes de alimentación del servidor

GaN de Transphorm en fuentes de alimentación redundantes comunes

GaN de Transphorm en sistemas de energía portátiles

Educación

Comparación entre los diseños cascode y e-mode de Transphorm

Videos