MOSFET U-MOS IX-H de ultra alta eficiencia

Toshiba ha ampliado su familia de MOSFET de bajo voltaje y de ultra alta eficiencia al agregar dispositivos de 30 V, 40 V y 60 V a la línea existente de la empresa. Todos los dispositivos estarán disponibles en el paquete ultra compacto TO-220/TO-220-SIS, SOP Advance y TSON Advance que ofrece baja resistencia en modo encendido y baja Q_OSS para una mayor eficiencia en fuentes de alimentación de modo de conmutación utilizadas en estaciones de base, servidores o equipos industriales.

Al contar con dispositivos de 30 V, 40 V y 60 V, estos MOSFET de canal N se basan en el proceso de próxima generación de trinchera U-MOS IX-H. Este proceso se ha diseñado para ofrecer la mejor eficiencia en un rango amplio de condiciones de carga al reducir la resistencia en modo encendido (R_{DS (ON)}) y al mejorar la eficiencia de conmutación al reducir la carga de salida (Q_OSS).

Los MOSFET ayudan a los diseñadores a reducir las pérdidas y el espacio en placa en una variedad de circuitos de gestión de potencia incluyendo la conmutación de lado alto y bajo en la conversión CC-CC y la rectificación síncrona de lado secundario en diseños de conmutación CA-CC. Estas tecnologías también son ideales para el control del motor y para los módulos de circuito de protección en el equipo electrónico que requiere de baterías de ión de litio.