Name: TK3R1A04PL,S4X
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK3R1A04PLS4X-ND
Price: 2.3353 EUR
Availability: InStock

TK3R1A04PL,S4X
N.º de producto de DigiKey	TK3R1A04PLS4X-ND
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza del fabricante	TK3R1A04PL,S4X
Descripción	MOSFET N-CH 40V 82A TO220SIS
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 40 V 82A (Tc) 36W (Tc) TO-220SIS
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	TK3R1A04PL,S4X Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	U-MOSIX-H
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	40 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	82A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	3.8mOhm a 30A, 4.5V
Vgs(th) (máx) a Id	2.4V a 500µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	63.4 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	4670 pF @ 20 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	36W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-220SIS
Paquete / Caja (carcasa)	TO-220-3 paquete completo
Número de producto base	TK3R1A04

Precio unitario sin IVA:	1,93000 €
Precio unitario con IVA:	2,33530 €

TK3R1A04PL,S4X