Etapa de potencia de medio puente de GaN y 80 V serie LMG5200

Texas Instruments presenta el dispositivo LMG5200, que consta de un controlador de 10 A y 80 V y una etapa de potencia de medio puente de GaN, que proporciona una solución de etapa de potencia integrada que utiliza FET de nitruro del galio (GaN) de modo de mejora. El dispositivo consta de dos FET de GaN de 80 V accionados por un controlador de FET de GaN de alta frecuencia en una configuración de medio puente.

Los FET de GaN proporcionan ventajas significativas para la conversión de energía ya que tienen recuperación inversa próxima a cero y una capacitancia de entrada muy pequeña C_ISS. Todos los dispositivos se montan en plataforma de paquetes libre de unión de cables con elementos parásitos de paquete mínimos. El dispositivo LMG5200 está disponible en paquete d 6 mm x 8 mm x 2 mm libre de conductores y puede montarse fácilmente sobre una placa de CI.

Las entradas compatibles con la lógica TTL admiten tensiones de entrada hasta 12 V, independientemente de la tensión V_CC. La técnica de fijación patentada de arranque tensión asegura que la tensión de compuerta del modo de mejora de los FET de GaN están dentro de un rango seguro de operación.

El dispositivo extiende las ventajas de los FET de GaN discretos ofreciendo una interfaz más fácil de usar. Es una solución ideal para aplicaciones que requieren operación de alta frecuencia y alto rendimiento en un factor de forma pequeño. Cuando se utiliza con el controlador TPS53632G, la serie LMG5200 permite la conversión directa de 48 V a voltajes de carga de punto (0,5 V a 1,5 V).