Etapas de potencia FET de 600 V y GaN series LMG3410R050/LMG3411R050

Texas Instruments ofrece las etapas de potencia de GaN series LMG3410R050 y LMG3411R050 con controlador y protección integrados que permiten al usuario alcanzar nuevos niveles de densidad de potencia y eficiencia en los sistemas de electrónica de potencia. Estos dispositivos ofrecen ventajas inherentes sobre los MOSFET de silicio, incluida la capacitancia de entrada y salida ultrabaja, la recuperación inversa cero para reducir las pérdidas de conmutación hasta en un 80% y el bajo sonido del nodo del interruptor para reducir la EMI. Estas ventajas permiten topologías densas y eficientes como el PFC de polo tótem.

LMG3410R050 y LMG3411R050 ofrecen una alternativa inteligente a los FET de GaN tradicionales de cascode y los transistores de efecto de campo (FET) de GaN independientes al integrar un conjunto único de características para simplificar el diseño, maximizar la confiabilidad y optimizar el rendimiento de cualquier fuente de alimentación. Un control de compuerta integrado habilita 100 V/ns de conmutación con zumbido V_DS casi cero, menos de 100 ns de respuesta de límite de corriente que autoprotege contra eventos de disparos no intencionales, apagado por sobretemperatura que impide un aluvión térmico y señales de interfaz de sistemas que ofrecen capacidad de autocontrol.