Etapa de potencia de nitruro de galio (GaN) LMG3410R070

Texas Instruments ofrece la etapa de potencia GaN LMG3410R070 con controlador integrado y protección que permite al usuario alcanzar nuevos niveles de densidad de potencia y eficiencia en los sistemas de electrónica de potencia. El LMG3410R070 presenta ventajas inherentes sobre los transistores de efecto de campo de semiconductores de óxido de metal de silicio (MOSFET) que incluyen una capacitancia de entrada y salida ultrabaja, recuperación inversa cero para reducir las pérdidas de conmutación hasta en un 80 % y un bajo nivel de nodos de conmutación para reducir la interferencia electromagnética ( EMI). Estas ventajas permiten topologías densas y eficientes, incluida la corrección del factor de potencia (PFC) del polo tótem.

El LMG3410R070 ofrece una alternativa inteligente a los GaN tradicionales de cascode y los transistores de efecto de campo (FET) GaN independientes al integrar un conjunto único de características para simplificar el diseño, maximizar la confiabilidad y optimizar el rendimiento de cualquier fuente de alimentación. Un control de compuerta integrado habilita 100 V/ns de conmutación con zumbido V_DS casi cero, menos de 100 ns de límite de corriente que autoprotege contra eventos de disparos no intencionales, apagado por sobretemperatura que impide un aluvión térmico, y señales de interfaz de sistemas que ofrecen capacidad de autocontrol.