Controlador MOSFET de medio puente LMG1210 y FET de GaN

El LMG1210 de Texas Instruments es un controlador MOSFET de medio puente y transistor de efecto de campo (FET) de nitruro de galio (GaN) de 200 V, diseñado para aplicaciones de frecuencia ultraalta y alta eficiencia que cuentan con capacidad de tiempo muerto ajustable, retraso de propagación ultrapequeño y 3,4 ns de ajuste de lado alto/lado bajo para optimizar la eficiencia del sistema. El dispositivo cuenta con un LDO interno que garantiza un voltaje de controlador de compuerta de 5 V, independientemente del voltaje de alimentación.

Para permitir el mejor rendimiento en una variedad de aplicaciones, el LMG1210 le permite al diseñador elegir el diodo de arranque óptimo para cargar el capacitor de arranque del lado alto. Un interruptor interno apaga el diodo de arranque cuando el lado bajo está apagado, lo que evita efectivamente que el arranque del lado alto se sobrecargue y minimiza la carga de recuperación inversa. La capacitancia parásita adicional en el FET de GaN se minimiza a menos de 1 pF para reducir las pérdidas de conmutación adicionales.

El LMG1210 presenta dos modos de entrada de control que incluyen el modo de entrada independiente (IIM) y el modo PWM. En IIM, cada una de las salidas se controla de forma independiente mediante una entrada dedicada. En el modo PWM, las dos señales de salida complementarias se generan a partir de una sola entrada, y el usuario puede ajustar el tiempo muerto de 0 ns a 20 ns para cada borde. El LMG1210 opera en un amplio rango de temperatura de -40 ºC a +125 ºC y se ofrece en un paquete WQFN de baja inductancia.