Texas Instruments presenta el LM5113, diseñado para impulsar los FET de nitruro de galio (GaN) de modo mejorado, tanto de lado alto como de lado bajo, en una configuración de medio puente o reductor sincrónico. El controlador flotante de lado alto es capaz de impulsar un FET de GaN de modo mejorado de lado alto hasta 100 V. El voltaje de polarización de lado alto se genera usando una técnica de arranque y se fija internamente a 5.2 V, que impide que el voltaje de compuerta exceda la clasificación máxima de voltaje de suministro de compuerta de los FET de GaN de modo mejorado. Las entradas del LM5113 son compatibles con la lógica TTL y admiten tensiones de entrada hasta 14 V, independientemente de la tensión VDD. El LM5113 tiene salidas de compuerta separadas, que proporcionan flexibilidad para ajustar la fuerza de encendido y apagado independientemente.
Además, la gran capacidad de disipación del LM5113 mantiene la compuerta en estado baja, e impide el encendido no intencional durante la conmutación. El LM5113 puede funcionar hasta varios MHz. El LM5113 está disponible en un paquete WSON estándar de 10 pines y un paquete DSBGA de 12 bump. El paquete WSON de 10 pines contiene una almohadilla expuesta para ayudar a la disipación de la energía. El paquete DSBGA ofrece una huella compacta y una inductancia del paquete minimizada.
| Características |
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- Entradas lógicas TTL independiente del lado alto y del lado bajo
- Fuente de pico y corriente de disipación de 1.2 A/5 A
- El riel de voltaje de polarización flotante de lado alto funciona hasta 100 VCC
- Fijación de tensión de alimentación de arranque interno
- Salidas divididas para fuerza ajustable de encendido/apagado
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- Resistencia de polarización de 0.6 Ω/2.1 Ω
- Tiempos de propagación rápida (28 ns, típico)
- Excelente combinación de retardo de propagación (1.5 ns, típico)
- Bloqueo de baja tensión en riel de alimentación
- Bajo consumo de energía
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| Aplicaciones |
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- Convertidores de contrafase alimentados por corriente
- Convertidores de medio puente y puente completo
- Convertidores reductores sincrónicos
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- Convertidores directos de dos interruptores
- Directo con convertidores de fijación activa
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Texas Instruments presenta el LM5113, diseñado para impulsar los FET de nitruro de galio (GaN) de modo mejorado, tanto de lado alto como de lado bajo, en una configuración de medio puente o reductor sincrónico. El controlador flotante de lado alto es capaz de impulsar un FET de GaN de modo mejorado de lado alto hasta 100 V. El voltaje de polarización de lado alto se genera usando una técnica de arranque y se fija internamente a 5.2 V, que impide que el voltaje de compuerta exceda la clasificación máxima de voltaje de suministro de compuerta de los FET de GaN de modo mejorado. Las entradas del LM5113 son compatibles con la lógica TTL y admiten tensiones de entrada hasta 14 V, independientemente de la tensión VDD. El LM5113 tiene salidas de compuerta separadas, que proporcionan flexibilidad para ajustar la fuerza de encendido y apagado independientemente.
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