MOSFET RA1C030LDT5CL

El RA1C030LD de ROHM se ofrece en el paquete DSN1006-3 a nivel de oblea y tamaño de chip (1.0 mm x 0.6 mm) que aprovecha el proceso de CI patentado de ROHM para lograr una baja disipación de potencia junto con una mayor miniaturización. En cuanto al coeficiente de calidad que expresa la relación entre las pérdidas por conducción y conmutación (resistencia en estado encendido × Q_gd), se ha alcanzado un valor líder en el sector que es un 20 % inferior al de los productos de paquete estándar con el mismo paquete (1.0 mm x 0.6 mm o inferior), lo que contribuye a reducir considerablemente la superficie de la placa junto con una mayor eficiencia en una variedad de dispositivos compactos. Al mismo tiempo, la exclusiva estructura del envase de ROHM proporciona protección aislante para las paredes laterales (a diferencia de los productos estándar del mismo envase sin protección). Esto reduce el riesgo de cortocircuitos por contacto entre componentes en dispositivos compactos que deben recurrir a montajes de alta densidad por limitaciones de espacio, lo que contribuye a un funcionamiento más seguro.