Name: RA1C030LDT5CL
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RA1C030LDT5CLTR-ND
Price: 0.6534 EUR
Availability: InStock

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RA1C030LDT5CL
N.º de producto de DigiKey	846-RA1C030LDT5CLTR-ND - Cinta y rollo (TR) 846-RA1C030LDT5CLCT-ND - Cinta cortada (CT) 846-RA1C030LDT5CLDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de pieza del fabricante	RA1C030LDT5CL
Descripción	NCH 20V 3.0A, SMM1006, SMM1006:
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 20 V 3A (Ta) 1W (Ta) DSN1006-3
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	RA1C030LDT5CL Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Rohm Semiconductor
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	20 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	3A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	1.8V, 4.5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	140mOhm a 3A, 4.5V
Vgs(th) (máx) a Id	1.5V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	1.5 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	+7V, -0.2V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	150 pF @ 10 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	1W (Ta)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	DSN1006-3
Paquete / Caja (carcasa)	3-XFDFN

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