Resistencias de derivación con chip GMR50

ROHM Semiconductor presenta las resistencias de derivación con chip GMR50 que ofrecen una potencia nominal de 4 W a temperatura del electrodo TK = 90 °C en un paquete compacto 2010 de 5,0 mm x 2,5 mm. La serie combina una estructura de electrodo revisada con un diseño de dispositivo optimizado que mejora la disipación de calor a la placa CI donde está montada la resistencia. Esta estructura de disipación de calor elevado también proporciona confiabilidad y ahorro de espacio con un área de montaje 39% más pequeña que los productos con clasificación 4 W convencionales. Las resistencias GMR50 de ROHM Semiconductor ofrecen un rango de resistencia de 5 mΩ a 220 mΩ y un rango de temperatura de funcionamiento de -65 °C a +170 °C. Estos dispositivos son ideales para la detección de corriente en motores y circuitos de suministro de energía utilizados en sistemas automotrices y equipos industriales.