Diodo de barrera Schottky de SiC de generación 1.5

El diodo de barrera Schottky (SBD) de carburo de silicio (SiC) de generación 1.5 de PANJIT se desarrolló para que los ingenieros eléctricos pudieran diseñar sistemas de mayor rendimiento con menor disipación de calor. Un diodo de recuperación rápida (FRD) tiene cierta corriente de recuperación inversa en la operación de apagado que genera pérdidas de conmutación adicionales cuando se enciende el interruptor principal. Por el contrario, el diodo de barrera Schottky no tiene corriente de recuperación inversa, por lo que puede utilizarse a una frecuencia de conmutación más alta, pero tiene el inconveniente de un voltaje disruptivo más bajo debido a una mayor fuga. Los dispositivos de SiC tienen una energía de banda prohibida más alta que los de silicio, lo que significa una corriente de fuga muy baja. Los dispositivos de SiC también tienen una mayor velocidad de los electrones, lo que aporta un rendimiento de conmutación superior al de los dispositivos de silicio.

El SBD Gen.1.5 de SiC de PANJIT está optimizado para tener una baja dependencia de la temperatura para el voltaje directo (V_F), por lo que se pueden suprimir las pérdidas de conducción en funcionamiento a temperaturas más altas. Tiene una estructura de barrera de unión Schottky (JBS) añadiendo una capa P+ en la zona de contacto metálico. Como resultado, la capacidad de corriente de sobretensión puede mejorarse drásticamente, lo que resulta útil para garantizar la fiabilidad a nivel de sistema para el funcionamiento de arranque en frío. La línea de SBD SiC de gen. 1.5 de PANJIT tiene voltajes disruptivos de 650 V y 1,200 V, corrientes nominales de 4 A a 40 A y varios paquetes discretos como TO-220AC, TO-252AA y TO-247AD-3LD.