MOSFET PowerTrench®

Los MOSFET de la serie T10 de onsemi en un encapsulado compacto de 5 mm x 6 mm ofrecen una carga de puerta total baja y características de recuperación mejoradas.

Imagen de los MOSFET PowerTrench® de onsemiLos MOSFET PowerTrench de onsemi representan un salto en eficiencia y rendimiento. La transición de T6/T8 a T10 se ha caracterizado por mejoras sustanciales en la resistencia en estado encendido y el rendimiento de conmutación, que son fundamentales para los diseños sensibles a la energía. La serie T10 presenta una resistencia en estado encendido óptima en un encapsulado compacto de 5 mm x 6 mm, lo que ofrece una carga total de puerta inferior y características de recuperación mejoradas. Esto se traduce en menos energía desperdiciada en forma de calor, mayor fiabilidad y mejor rendimiento en aplicaciones de conmutación de alta frecuencia.

Los MOSFET T10 presentan una mayor capacidad de corriente y energía de avalancha, lo que garantiza su robustez en condiciones extremas. Estos avances no son solo incrementales, sino transformadores, ya que permiten crear dispositivos electrónicos más compactos, eficientes y potentes. Desde convertidores de CC/CC hasta accionamientos de motores, la tecnología PowerTrench ha establecido los estándares de lo que es posible en soluciones de gestión de energía.

Características
  • Reducción de las pérdidas de conmutación a frecuencias más altas
  • Mejor disipación del calor
  • Pérdidas de conducción mejoradas gracias a una menor RDS(ON)
  • Paquetes más pequeños y con mayor densidad de potencia
  • MOSFET T10 de 40 V a 80 V cualificados por AEC
  • Entre un 30 % y un 40 % de reducción de Rsp frente a la generación anterior
  • Reducción de 2x en Qg, Qsw y Qoss
  • Diodo de recuperación más blando y menor Qrr
  • 10% más de capacidad de IEU
Aplicaciones
  • Centros de datos
  • Etapas de conversión de potencia CC/CC
  • Uso general y adecuado para muchas aplicaciones diferentes

PowerTrench® MOSFETs

ImagenNúmero de pieza del fabricanteDescripciónCantidad disponiblePrecioVer detalles
40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PANTMFS0D4N04XMT1G40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PA3225 - Inmediata$3.20Ver detalles
40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PANTMFS0D5N04XMT1G40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PA0 - Inmediata$2.76Ver detalles
40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PANTMFS0D6N04XMT1G40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PA1390 - Inmediata$2.56Ver detalles
40V T10M IN S08FL PACKAGENTMFS0D7N04XMT1G40V T10M IN S08FL PACKAGE65 - Inmediata$2.03Ver detalles
40V T10M IN S08FL PACKAGENTMFS1D1N04XMT1G40V T10M IN S08FL PACKAGE2266 - Inmediata$1.94Ver detalles
40V T10M IN S08FL PACKAGENTMFS1D3N04XMT1G40V T10M IN S08FL PACKAGE4418 - Inmediata$1.65Ver detalles
40V T10M IN S08FL PACKAGENTMFS2D3N04XMT1G40V T10M IN S08FL PACKAGE583 - Inmediata$1.35Ver detalles
40V T10M IN S08FL PACKAGENTMFS3D1N04XMT1G40V T10M IN S08FL PACKAGE1435 - Inmediata$1.22Ver detalles
MOSFET - POWER, SINGLE, N-CHANNENTMFWS1D5N08XT1GMOSFET - POWER, SINGLE, N-CHANNE0 - Inmediata$3.11Ver detalles
T10 80V STD NCH MOSFET SO8FLNTMFS2D1N08XT1GT10 80V STD NCH MOSFET SO8FL1014 - Inmediata$2.60Ver detalles
T10 80V STD NCH MOSFET SO8FLNTMFS2D5N08XT1GT10 80V STD NCH MOSFET SO8FL2020 - Inmediata$2.35Ver detalles
T10 80V STD NCH MOSFET SO8FLNTMFS3D0N08XT1GT10 80V STD NCH MOSFET SO8FL890 - Inmediata$2.18Ver detalles
T10 80V STD NCH MOSFET SO8FLNTMFS3D5N08XT1GT10 80V STD NCH MOSFET SO8FL726 - Inmediata$1.87Ver detalles
T10 80V STD NCH MOSFET SO8FLNTMFS4D0N08XT1GT10 80V STD NCH MOSFET SO8FL0 - Inmediata$1.65Ver detalles
MOSFET, POWER 80V SINGLE N-CHANNNTBLS0D8N08XTXGMOSFET, POWER 80V SINGLE N-CHANN0 - Inmediata$6.15Ver detalles
PTNG 100V LOW Q3.2MOHM N-FET, HENTMFS3D2N10MDT1GPTNG 100V LOW Q3.2MOHM N-FET, HE1448 - Inmediata$3.61Ver detalles
N-CHANNEL SHIELDED GATE POWERTRENTMFS4D2N10MDT1GN-CHANNEL SHIELDED GATE POWERTRE0 - Inmediata$2.76Ver detalles
PTNG 100V LOW Q 12MOHM N-FET, U8NTTFS012N10MDTAGPTNG 100V LOW Q 12MOHM N-FET, U84411 - Inmediata$1.90Ver detalles
Publicado: 2024-09-09