MOSFET CoolSiC™ discreto G2 de 1.400 V en el paquete de reflujo TO-247PLUS-4

Los MOSFET discretos de Infineon ofrecen un enfoque innovador para la gestión de la energía.

Imagen de MOSFET Coolsic™ discreto de 1,400 V G2 en paquete de reflujo TO-247PLUS-4 de Infineon El MOSFET CoolSiC™discreto de 1,400 V y 8 mΩ de Infineon en un paquete TO-247PLUS-4 de reflujo es un dispositivo de alto rendimiento diseñado para aplicaciones exigentes como la carga de vehículos eléctricos, sistemas de almacenamiento de energía y vehículos autónomos. Cuenta con los últimos avances en la tecnología CoolSiC MOSFET G2 de 1,400 V, lo que proporcionan una gestión térmica excepcional, mayor densidad de potencia y mayor fiabilidad. El dispositivo tiene un diseño de encapsulado apto para reflujo que admite hasta tres ciclos de soldadura por reflujo, lo que reduce la resistencia térmica y mejora la eficiencia global del sistema. Entre sus principales características se incluyen un alto voltaje nominal, baja resistencia a la conexión y capacidades avanzadas de gestión térmica. Con su combinación única de alta potencia, eficiencia y fiabilidad, este dispositivo es una opción ideal para aplicaciones de alta potencia, ya que ofrece un mejor rendimiento del sistema y reduce las pérdidas de energía.

Características
  • VDSS: 1,400 V a Tvj = +25 °C
  • IDCC: 188 A a TC = +100 °C
  • RDS(ON): 5.8 mΩ a VGS = 18 V, Tvj = +25 °C
  • Pérdidas de conmutación muy bajas
  • Reverso del paquete 3x soldado con reflujo
  • Funcionamiento con sobrecarga hasta Tvj = +200 °C
  • Tiempo de resistencia al cortocircuito: 2 µs
  • Voltaje del umbral de puerta de referencia 4.2 V
  • Resistente al encendido parasitario
  • Diodo de cuerpo robusto para conmutación dura
  • Tecnología de interconexión de RF
  • Paquete con clavijas de alimentación anchas (2 mm)
Beneficios
  • Mayor densidad de potencia
  • Mayor potencia de salida del sistema
  • Mejora de la eficiencia global
  • Robustez frente a sobrecargas transitorias
  • Robustez frente a condiciones de avalancha
  • Robustez frente al efecto Miller
  • Facilidad de diseño de sistemas
  • Fácil conexión en paralelo
Aplicaciones
  • Sistema de almacenamiento de energía en baterías
  • Carga de vehículos eléctricos
  • Motores de uso general

CoolSiC™ MOSFET Discrete 1,400 V G2 in TO-247PLUS-4 Reflow Package

ImagenNúmero de pieza del fabricanteDescripciónCantidad disponiblePrecioVer detalles
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Publicado: 2025-11-17