MOSFET CoolSiC™ discreto G2 de 1.400 V en el paquete de reflujo TO-247PLUS-4

El MOSFET CoolSiC discreto de Infineon de 1400 V y 8 mΩ en un encapsulado TO-247PLUS-4 de reflujo es un dispositivo de alto rendimiento diseñado para aplicaciones exigentes como la carga de vehículos eléctricos, sistemas de almacenamiento de energía y vehículos autónomos. Cuenta con los últimos avances en la tecnología CoolSiC MOSFET G2 de 1.400 V, proporcionando una gestión térmica excepcional, mayor densidad de potencia y mayor fiabilidad. El dispositivo tiene un diseño de encapsulado apto para reflujo que admite hasta tres ciclos de soldadura por reflujo, lo que reduce la resistencia térmica y mejora la eficiencia global del sistema. Entre sus principales características se incluyen un alto voltaje nominal, baja resistencia a la conexión y capacidades avanzadas de gestión térmica. Con su combinación única de alta potencia, eficiencia y fiabilidad, este dispositivo es una opción ideal para aplicaciones de alta potencia, ya que ofrece un mejor rendimiento del sistema y reduce las pérdidas de energía.