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Soluciones de alimentación de GaN de 40 V de alta eficiencia CoolGaN™ BDS
Las soluciones de alimentación de GaN de alta eficiencia de 40 V CoolGaN BDS de Infineon Technologies están diseñadas para la última generación de diseños de bajo voltaje
La familia G3 de 40 V CoolGaN BDS de Infineon Technologies aporta las ventajas de la tecnología de nitruro de galio (GaN) a las aplicaciones de potencia de bajo voltaje, por lo que ofrece pérdidas de conmutación significativamente reducidas, velocidades de conmutación ultrarrápidas y una eficiencia global mejorada en comparación con los MOSFET de silicio tradicionales. Estos dispositivos están optimizados para un funcionamiento a alta frecuencia, lo que permite a los diseñadores reducir el tamaño del sistema, mientras mantienen un rendimiento excelente.
La cartera G3 de 40 V CoolGaN BDS está diseñada para soportar una amplia gama de topologías de conversión de potencia, lo que proporciona baja RDS(on), baja carga de puerta y coeficiente de calidad (FOM) superior. Esta combinación permite mayor densidad de potencia y eficiencia térmica mejorada, lo que hace que estos dispositivos sean ideales para diseños compactos de alto rendimiento.
Para acelerar el desarrollo, Infineon ofrece placas de evaluación y diseños de referencia que ayudan a los ingenieros a implementar y validar rápidamente las soluciones basadas en CoolGaN, lo que reduce el tiempo de comercialización y la complejidad del diseño.
- Baja RDS(on) para reducir las pérdidas de conducción
- Carga de compuerta ultrabaja (Qg)
- Capacidad de conmutación de alta velocidad
- Bajas pérdidas de conmutación en comparación con los MOSFET de silicio
- Excelente FOM (RDS(on) x Qg)
- Optimizado para aplicaciones de baja y alta frecuencia
- Espacio reducido para diseños con espacio limitado
- Rendimiento robusto y fiable
- Mayor eficiencia del sistema y menor consumo de energía
- Menor tamaño del sistema gracias a una mayor frecuencia de conmutación
- Menor generación de calor y mejor gestión térmica
- Mayor densidad de potencia
- Reducción del tamaño y el costo de los componentes pasivos
- Mejora del rendimiento general del sistema
- Convertidores de punto de carga (POL)
- Convertidores reductores sincrónicos
- Sistemas con alimentación con baterías
- Accionamientos de motores de bajo voltaje (ventiladores, bombas)
- Robótica y drones
- Fuentes de alimentación para telecomunicaciones y servidores
- Electrónica de consumo
CoolGaN™ BDS High-Efficiency 40 V GaN Power Solutions
| Imagen | Número de pieza del fabricante | Descripción | Rds On (máx) @ Id, Vgs | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Cantidad disponible | Precio | Ver detalles | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | IGK048B041SXTSA1 | GANFET N-CH 40V 53A 16WLBGA | 4.8mOhm a 5A, 5V | 9.1 nC @ 5 V | 600 pF @ 20 V | 3964 - Inmediata | $1.15 | Ver detalles |
| | IGK120B041SXTSA1 | GANFET N-CH 40V 30A 16WLBGA | 12mOhm a 5A, 5V | 4.4 nC @ 5 V | 290 pF @ 20 V | 3975 - Inmediata | $0.54 | Ver detalles |
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