Name: IGK120B041SXTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IGK120B041SXTSA1TR-ND
Price: 0.7744 EUR
Availability: InStock

Nuevo producto

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IGK120B041SXTSA1
N.º de producto de DigiKey	448-IGK120B041SXTSA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 448-IGK120B041SXTSA1CT-ND - Cinta cortada (CT) 448-IGK120B041SXTSA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IGK120B041SXTSA1
Descripción	GANFET N-CH 40V 30A 16WLBGA
Plazo estándar del fabricante	35 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 40 V 30H (Tc) 1.2W (Ta), 15W (Tc) SG-UFWLB-16-2
Hoja de datos	Hoja de datos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Rds On (máx) @ Id, Vgs 12mOhm a 5A, 5V
Fabricante Infineon Technologies	Vgs(th) (máx) a Id 2.9V a 3mA
Serie CoolGaN™	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 4.4 nC @ 5 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 290 pF @ 20 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 1.2W (Ta), 15W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 125°C (TJ)
Tecnología GaNFET (Nitrito de galio)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 40 V	Paquete del dispositivo del proveedor SG-UFWLB-16-2
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 30H (Tc)	Paquete / Caja (carcasa) 16-UFBGA, WLBGA
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 5V

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