H7 IGBT7 TRENCHSTOP™ de 650 V y 1,200 V

La avanzada tecnología IGBT7 H7 TRENCHSTOP de Infineon responde a la creciente demanda de aplicaciones energéticas ecológicas y eficientes. Utilizando el último diseño de trinchera con micropatrones, ofrece un control y un rendimiento excepcionales. Esto se traduce en una reducción sustancial de las pérdidas, una mayor eficiencia y un aumento de la densidad de potencia en las aplicaciones. Se utiliza en diversos sectores, como los inversores de cadenas, los sistemas de almacenamiento de energía (ESS), la carga de vehículos eléctricos y sectores tradicionales como los SAI industriales y la soldadura.

La gama incluye variantes de 40 A a 150 A, en cinco tipos de encapsulado diferentes: TO-247-3 estándar, TO-247-3 HCC, TO-247-4, TO-247-3 Plus y TO-247-4 Plus. La variante TO-247-3 HCC de los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) TRENCHSTOP 7 H7 presenta una elevada distancia de fuga, lo que mejora aún más su adecuación para diversas aplicaciones. Para un mayor rendimiento, considere los encapsulados de 4 pines IKZA e IKY, que no solo reducen las pérdidas por conmutación, sino que también proporcionan ventajas adicionales como una menor sobrecresta de voltaje, pérdidas de conducción minimizadas y la menor pérdida por recuperación inversa. Con estos avances, los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) TRENCHSTOP 7 H7 simplifican los diseños y reducen al mínimo la necesidad de conectar dispositivos en paralelo.