Placas de desarrollo EPC9052/53/54

Las placas de desarrollo de modo diferencial basadas en GaN de EPC pueden funcionar hasta 30 MHz. Estas placas proporcionan una forma fácil de usar para diseñadores de sistemas de potencia para evaluar el rendimiento excepcional de los transistores de nitruro de galio y conseguir sus productos en volumen de producción rápidamente. Estas placas de desarrollo están diseñadas para aplicaciones de clase E, como la carga inalámbrica, pero pueden ser utilizadas para cualquier aplicación donde se utiliza un interruptor del lado bajo. Los ejemplos incluyen convertidores en contrafase; amplificadores de clase D de modo de corriente; conmutadores bidireccionales de fuente común; aplicaciones genéricas de ancho de pulso estrecho de alto voltaje, como LiDAR; y muchos más.

Estas placas de desarrollo ofrecen FET de eGaN con 200 V nominal. Los amplificadores están listos para funcionar en modo diferencial y pueden configurarse para funcionar en modo balanceado e incluir impulsor de compuerta y regulador de suministro de lógica. Las tres placas tienen características comunes de preferencia. Las condiciones de carga, incluyendo configuración, determinan el diseño óptimo de la carga de tensión y resistencia.