FET de GaN EPC2071

El EPC2071de EPC es un FET de GaN de 100 V, 2,2 mΩ y 350 A de corriente pulsada que ofrece un dispositivo significativamente más pequeño y eficiente que los MOSFET de silicio para aplicaciones de alto rendimiento y espacio limitado.

El EPC2071 es ideal para aplicaciones con requisitos exigentes de rendimiento de alta densidad de potencia, incluida la entrada CC/CC de 48 V a 54 V para servidores e inteligencia artificial. Las cargas de puerta más bajas y las pérdidas de recuperación inversa nulas permiten un funcionamiento a alta frecuencia de 1 MHz y superior, con una alta eficiencia en un espacio reducido de 10,2 mm² para una densidad de potencia de vanguardia.

El EPC2071 también es ideal para accionamientos de motores BLDC, como bicicletas y patinetas eléctricas, robots, drones y herramientas eléctricas. El EPC2071 tiene 1/3 del tamaño de un MOSFET de silicio con el mismo RDS_(ON), el QG es 1/4 del tamaño del MOSFET, y el tiempo muerto puede reducirse de 500 ns a 20 ns para optimizar la eficiencia del motor más el inversor y reducir el ruido acústico.