SDRAM DDR3 y DDR3L de alta velocidad

La línea de 3 DRAM sincrónicos DDR3 de alta velocidad, CMOS, con velocidad de datos doble y baja tensión de Alliance Memory ofrecen densidades de 1 GB, 2 GB, 4 GB y 8 G en paquetes FGBA de 78 bolas y de 9 mm x 10,5 mm x 1.2 mm y FBGA de 96 bolas y de 9 mm x 13 mm x 1.2 mm. Con versión compacta, los SDRAM DDR3 (1.5 V) y DDR3L (1.35 V) proporcionan confiable reemplazo confiable e inmediato, compatible pin a pin para un número de soluciones similares que se utilizan en conjunción con los nuevos microprocesadores de generación, eliminando la necesidad de costosos reajustes y la recalificación de las piezas.

Características

• Internamente se configuran como ocho bancos de 64 M, 128 M, 256 M, 512 M y 1G x 8 bits y 16 bits
• Fuente de alimentación:
  
  • SDRAM DDR3 de +1.5 V (±0.075 V) (AS4C64M16D3, AS4C128M8D3, AS4C128M16D3, AS4C256M8D3, AS4C256M16D3, y AS4C512M8D3)
  • SDRAM DDR3L de +1.35 V (AS4C64M16D3L, AS4C128M8D3L, AS4C128M16D3L, AS4C256M8D3L, AS4C256M16D3L, AS4C512M8D3L, AS4C512M16D3L y AS4C1G8MD3L)
• Se suministran en paquetes FBGA de 78 bolas y 96 bolas
• Arquitectura 3 de doble velocidad de datos extremadamente rápidos con tasas de transferencia de hasta 1600 Mbps/pin y velocidades de reloj de 800 MHz
• Algoritmos mejorados, colaboración, convivencia
• Disponibles en una gama de temperaturas (extendido) comercial de 0°C a + 95 °C y un rango de temperatura industrial de-40 °C a + 95 °C rangos de temperatura
• Operación completamente sincrónica
• Longitudes de ráfaga programables de lectura o escritura de cuatro u ocho
• Función de precarga automática que proporciona una fila autosincronizada, la precarga se inicia al final de la secuencia de explosión
• Funciones de actualización fáciles de usar que incluyen autoactualización
• Cumplen con la directiva RoHS.
• Sin plomo ni halógeno
• Registro de modo programable que permite al sistema elegir los modos más aptos para maximizar el rendimiento