El AS4C512M16D3L de Alliance Memory es un DRAM (DDR3L SDRAM) CMOS 3 sincrónico de doble tarifa de datos de alta velocidad y bajo voltaje que ofrece un paquete FBGA libre de plomo de 96 bolas y 8 GB de densidad en 9 mm x 14 mm. Con una versión compacta, el chip único permite reemplazo inmediato, fiable, de pin por pin, compatible con un número de soluciones similares que se utilizan conjuntamente con microprocesadores de nueva generación para aplicaciones industriales, médicas, de redes, telecomunicaciones y aeroespaciales, eliminando la necesidad de costosos reajustes y la recalificación de las piezas. Este DDR3L de 8 GB es una elección lógica para aplicaciones que requieren más memoria y además se enfrentan a limitaciones de espacio en placa.
| Características y beneficios |
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- Se ofrece en paquete FBGA libre de plomo, de 96 bolas y 9 mm x 14 mm
- Silicio innovador suministrado por Micron Technology
- Velocidades de transferencia extremadamente rápidas de hasta 1600 Mbps/pin y tarifas de reloj de 800 MHz
- Disponible en rangos de temperatura comercial extendida (0 ºC a + 95 °C) e industrial (-40 °C a + 95 °C)
- Se configura internamente como ocho bancos de 64 M x 16 bits (parámetro de 512 M x 16)
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- Funcionamiento a partir de una sola fuente de alimentación de +1.35 V
- Operación completamente sincrónica
- Longitudes de ráfaga programable de escritura o lectura de 4 o 8
- Función de precarga automática que proporciona una fila autosincronizada precargada, que se inicia a final de la secuencia de ráfaga.
- Funciones de actualización fáciles de usar que incluyen autoactualización
- Registro de modo programable que permite al sistema elegir los modos más aptos para maximizar el rendimiento
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