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IRFB4227PBF Canal N Orificio pasante 200V 65 A (Tc) 330W (Tc) TO-220AB
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1 2,60000 2,60 €
10 2,33300 23,33 €
100 1,91160 191,16 €
500 1,62732 813,66 €
1.000 1,37243 1.372,43 €

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IRFB4227PBF

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Descripción MOSFET N-CH 200V 65A TO-220AB
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Plazo estándar del fabricante 10 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 200V 65 A (Tc) 330W (Tc) TO-220AB

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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie HEXFET®
Empaquetado Tubo 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 200V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 65 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 24mOhm a 46A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 98nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 4600pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 330W (Tc)
Temperatura de operación -40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
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