Name: IPT029N08N5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPT029N08N5ATMA1TR-ND
Price: 5.0336 EUR
Availability: OutOfStock

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IPT029N08N5ATMA1
N.º de producto de DigiKey	IPT029N08N5ATMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) IPT029N08N5ATMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) IPT029N08N5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IPT029N08N5ATMA1
Descripción	MOSFET N-CH 80V 52A/169A HSOF-8
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 80 V 52H (Ta), 169H (Tc) 168W (Tc) PG-HSOF-8-1
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IPT029N08N5ATMA1 Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 3.8V a 108µA
Fabricante Infineon Technologies	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 87 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™ 5	Vgs (máx.) ±20V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 6500 pF @ 40 V
Estado de pieza Última compra	Disipación de potencia (Máx.) 168W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 80 V	Paquete del dispositivo del proveedor PG-HSOF-8-1
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 52H (Ta), 169H (Tc)	Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerSFN
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 6V, 10V	Número de producto base IPT029
Rds On (máx) @ Id, Vgs 2.9mOhm a 150A, 10V