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  • Cantidad disponible: 18.714 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

IPT007N06NATMA1

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key IPT007N06NATMA1CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante IPT007N06NATMA1
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Descripción MOSFET N-CH 60V 300A 8HSOF
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Plazo estándar del fabricante 18 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 60V 300 A (Tc) 375W (Tc) PG-HSOF-8-1

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Documentos y medios
Hojas de datos IPT007N06N
Producto destacado Data Processing Systems
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Hoja de datos de HTML IPT007N06N
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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie OptiMOS™
Embalaje Cinta cortada (CT) 
Estado de pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 300 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 6V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs 0.75mOhm a 150A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id 3.3V a 280µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 287nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 16000pF @ 30V
Característica de FET -
Disipación de potencia (Máx.) 375W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PG-HSOF-8-1
Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerSFN
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres IPT007N06NATMA1CT