EUR | USD
Favorito

IPB107N20N3GATMA1 Canal N Montaje en superficie 200V 88 A (Tc) 300W (Tc) D²PAK (TO-263AB)
Precio y compra
5.113 En Stock
Disponible para envío inmediato
 

Cantidad
Todos los precios están en EUR.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 5,22000 5,22 €
10 4,72100 47,21 €
25 4,50120 112,53 €
100 3,73280 373,28 €
500 3,29366 1.646,83 €

Enviar una solicitud de cotización para cantidades superiores a las que se muestran en pantalla.

Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : IPB107N20N3GATMA1TR-ND
  • Cantidad mínima: 1.000
  • Cantidad disponible: 5.000 - Inmediata
  • Precio unitario: 2,94311 €
  • Digi-Reel®  : IPB107N20N3GATMA1DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 5.113 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

IPB107N20N3GATMA1

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key IPB107N20N3GATMA1CT-ND
Copiar  
Fabricante

Copiar  
Número de pieza del fabricante IPB107N20N3GATMA1
Copiar  
Descripción MOSFET N-CH 200V 88A TO263-3
Copiar  
Plazo estándar del fabricante 18 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 200V 88 A (Tc) 300W (Tc) D²PAK (TO-263AB)

Copiar  
Documentos y medios
Hojas de datos IPB107N20N3 G,IPx110N20N3 G
Producto destacado Data Processing Systems
Otros documentos relacionados Part Number Guide
Modelos de simulación OptiMOS™ Power MOSFET 200V N-Channel Spice Model
Embalaje de PCN Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018
Atributos del producto
Escribir Descripción Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie OptiMOS™
Embalaje Cinta cortada (CT) 
Estado de pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 200V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 88 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs 10.7mOhm a 88A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id 4V a 270µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 87nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 7100pF @ 100V
Característica de FET -
Disipación de potencia (Máx.) 300W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor D²PAK (TO-263AB)
Paquete / Caja (carcasa) TO-263-3, D²Pak (2 conductores + lengüeta), TO-263AB
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
También le puede interesar

IPD082N10N3GATMA1

MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3

Infineon Technologies

1,44000 € Detalles

0326020.HXP

FUSE CERM 20A 250VAC 60VDC 3AB

Littelfuse Inc.

1,61000 € Detalles

STTH810GY-TR

DIODE GEN PURP 1KV 8A D2PAK

STMicroelectronics

1,32000 € Detalles

IPW60R070CFD7XKSA1

MOSFET N-CH 600V TO247-3

Infineon Technologies

6,39000 € Detalles

IRFS4127TRLPBF

MOSFET N-CH 200V 72A D2PAK

Infineon Technologies

2,44000 € Detalles

IPB200N25N3GATMA1

MOSFET N-CH 250V 64A TO263-3

Infineon Technologies

5,48000 € Detalles
Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres IPB107N20N3 GCT
IPB107N20N3 GCT-ND
IPB107N20N3GATMA1CT