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EPC2100 Arreglo de MOSFET 2 canales N (medio puente) 30V 10 A (Ta), 40 A (Ta) Montaje en superficie Molde
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10 6,03800 60,38 €
25 5,75720 143,93 €
100 4,99890 499,89 €
250 4,77424 1.193,56 €

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key 917-1180-1-ND
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Número de pieza del fabricante

EPC2100

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Descripción GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
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Plazo estándar del fabricante 14 semanas
Descripción detallada

Arreglo de MOSFET 2 canales N (medio puente) 30V 10 A (Ta), 40 A (Ta) Montaje en superficie Molde

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Categorías
Fabricante EPC
Serie eGaN®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET 2 canales N (medio puente)
Característica de FET GaNFET (Nitrito de galio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 10 A (Ta), 40 A (Ta)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 8.2mOhm a 25A, 5V, 2.1mOhm a 25A, 5V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.5V a 4mA, 2.5V a 16mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 4.9nC a 15V, 19nC a 15V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 475pF a 15V, 1960pF a 15V
Potencia máxima -
Temperatura de operación -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) Molde
Paquete del dispositivo del proveedor Molde
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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  • 917-1181-1-ND
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres 917-1180-1
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : 917-1180-2-ND
  • Cantidad mínima: 500
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