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EPC2100 MOSFET - Arreglos 2 canales N (medio puente) 30V 10 A (Ta), 40 A (Ta) Montaje en superficie Molde
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10 5,55000 55,50 €
25 5,29160 132,29 €
100 4,38810 438,81 €

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  • Cinta y rollo (TR)  : 917-1180-2-ND
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  • Precio unitario: 3,87190 €
Número de pieza de Digi-Key 917-1180-1-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante EPC2100
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Descripción GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
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Descripción detallada

MOSFET - Arreglos 2 canales N (medio puente) 30V 10 A (Ta), 40 A (Ta) Montaje en superficie Molde

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Documentos y medios
Hojas de datos EPC2100
EPC2100
Producto destacado EPC2100 Transistors and EPC9036 Dev Board
Ensamble/origen de PCN EPC2YYY 20/Sep/2018
Biblioteca de diseños de referencia EPC9059: 50A, 0 ~ 20V, Half Bridge
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Categorías
Fabricante EPC
Serie eGaN®
Embalaje Cinta cortada (CT) 
Estado de pieza Discontinuo en Digi-Key
Tipo FET 2 canales N (medio puente)
Característica de FET GaNFET (Nitrito de galio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 10 A (Ta), 40 A (Ta)
Rds On (máx) @ Id, Vgs 8.2mOhm a 25A, 5V, 2.1mOhm a 25A, 5V
Vgs(th) (máx) a Id 2.5V a 4mA, 2.5V a 16mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 4.9nC a 15V, 19nC a 15V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 475pF a 15V, 1960pF a 15V
Potencia - Máx. -
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) Molde
Paquete del dispositivo del proveedor Molde
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres 917-1180-1