VideoLibrary

Enabling Future DCFC with onsemi’s EliteSiC Power Modules

SiliconCarbide (SiC) technology provides higher efficiencies and superior thermal performance, resulting in lighter, smaller, and cost-optimized charging systems that deliver 400 kilowatts and beyond.

5/21/2024 7:02:19 PM

Part List

ImagenNúmero de pieza del fabricanteDescripciónCantidad disponiblePrecioVer detalles
MOSFET 2N-CH 1200V 114ANXH010P120MNF1PNGMOSFET 2N-CH 1200V 114A29 - Inmediata$109.31Ver detalles
MOSFET 2N-CH 1200V 350A 36PIMNXH003P120M3F2PTHGMOSFET 2N-CH 1200V 350A 36PIM45 - Inmediata
300 - Stock en fábrica		$179.30Ver detalles
MOSFET 2N-CH 1200V 284A 36PIMNXH004P120M3F2PTHGMOSFET 2N-CH 1200V 284A 36PIM20 - Inmediata
740 - Stock en fábrica		$153.88Ver detalles
MOSFET 2N-CH 1200V 435A 36PIMNXH003P120M3F2PTNGMOSFET 2N-CH 1200V 435A 36PIM68 - Inmediata
60 - Stock en fábrica		$192.79Ver detalles
MOSFET 4N-CH 1200V 91A 29PIMNXH011T120M3F2PTHGMOSFET 4N-CH 1200V 91A 29PIM14 - Inmediata
14560 - Stock en fábrica		$97.61Ver detalles
MOSFET 2N-CH 900V 149ANXH020U90MNF2PTGMOSFET 2N-CH 900V 149A21 - Inmediata$143.08Ver detalles
MOSFET 6N-CH 900V 510A SSDC39NVXR22S90M2SPCMOSFET 6N-CH 900V 510A SSDC397 - Inmediata$1,100.18Ver detalles
MOSFET 2N-CH 1200V 30ANXH040P120MNF1PTGMOSFET 2N-CH 1200V 30A28 - Inmediata
84 - Stock en fábrica		$62.96Ver detalles
MOSFET 2N-CH 1200V 30ANXH040P120MNF1PGMOSFET 2N-CH 1200V 30A26 - Inmediata
56 - Stock en fábrica		$62.96Ver detalles
MOSFET 4N-CH 1200V 30A 22PIMNXH040F120MNF1PTGMOSFET 4N-CH 1200V 30A 22PIM25 - Inmediata
28 - Stock en fábrica		$79.88Ver detalles
MOSFET 2N-CH 1200V 51ANXH020P120MNF1PGMOSFET 2N-CH 1200V 51A28 - Inmediata
112 - Stock en fábrica		$105.54Ver detalles
MOSFET 2N-CH 1200V 51ANXH020P120MNF1PTGMOSFET 2N-CH 1200V 51A28 - Inmediata$105.54Ver detalles
MOSFET 4N-CH 1200V 30A 22PIMNXH040F120MNF1PGMOSFET 4N-CH 1200V 30A 22PIM26 - Inmediata
56 - Stock en fábrica		$78.67Ver detalles
MOSFET 2N-CH 900V 154ANXH010P90MNF1PGMOSFET 2N-CH 900V 154A28 - Inmediata
28 - Stock en fábrica		$95.66Ver detalles
MOSFET 2N-CH 1200V 114ANXH010P120MNF1PGMOSFET 2N-CH 1200V 114A28 - Inmediata
56 - Stock en fábrica		$108.27Ver detalles
MOSFET 2N-CH 1200V 114ANXH010P120MNF1PTGMOSFET 2N-CH 1200V 114A28 - Inmediata
168 - Stock en fábrica		$108.27Ver detalles
MOSFET 2N-CH 1200V 114ANXH010P120MNF1PTNGMOSFET 2N-CH 1200V 114A25 - Inmediata
1148 - Stock en fábrica		$103.89Ver detalles
MOSFET 4N-CH 1200V 51A 22PIMNXH020F120MNF1PGMOSFET 4N-CH 1200V 51A 22PIM27 - Inmediata
28 - Stock en fábrica		$112.19Ver detalles
MOSFET 4N-CH 1200V 51A 22PIMNXH020F120MNF1PTGMOSFET 4N-CH 1200V 51A 22PIM28 - Inmediata
2632 - Stock en fábrica		$135.08Ver detalles
MOSFET 2N-CH 900V 154ANXH010P90MNF1PTGMOSFET 2N-CH 900V 154A28 - Inmediata
112 - Stock en fábrica		$117.53Ver detalles

Related Articles and Blogs

Semiconductores de amplio salto energético en aplicaciones aeroespaciales y de satélites Los semiconductores de amplio salto energético aportan varias ventajas a la conversión de potencia, como el aumento de la densidad de potencia y la eficiencia, y la reducción del tamaño y el peso del sistema.