XP83T03GJB YAGEO XSEMI | FET simple, MOSFET

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XP83T03GJB
N.º de producto de DigiKey	5048-XP83T03GJB-ND
Fabricante	YAGEO XSEMI
Número de pieza del fabricante	XP83T03GJB
Descripción	MOSFET N-CH 30V 75A TO251S
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 30 V 75H (Tc) 60W (Tc) TO-251S
Hoja de datos	Hoja de datos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 3V a 250µA
Fabricante YAGEO XSEMI	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 34 nC @ 4.5 V
Serie XP83T03	Vgs (máx.) ±20V
Embalaje Tubo	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1840 pF @ 25 V
Estado de pieza Obsoleto	Disipación de potencia (Máx.) 60W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Orificio pasante
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30 V	Paquete del dispositivo del proveedor TO-251S
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 75H (Tc)	Paquete / Caja (carcasa) Conductores cortos TO-251-3, IPAK, TO-251AA
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V	Número de producto base XP83
Rds On (máx) @ Id, Vgs 6mOhm a 40A, 10V

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Documentos y medios

Clasificaciones medioambientales y de exportación

Recursos adicionales

Obsoleto

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XP83T03GJB