Name: XP65SL190DI
Brand: YAGEO XSEMI
SKU: 5048-XP65SL190DI-ND
Price: 3.509 EUR
Availability: InStock

XP65SL190DI
N.º de producto de DigiKey	5048-XP65SL190DI-ND
Fabricante	YAGEO XSEMI
Número de pieza del fabricante	XP65SL190DI
Descripción	MOSFET N-CH 650V 20A TO220CFM
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 650 V 20A (Tc) 1.92W (Ta), 34.7W (Tc) TO-220CFM
Hoja de datos	Hoja de datos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	YAGEO XSEMI
Serie	XP65SL190D
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	650 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	20A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	190mOhm a 6.2A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	92.8 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	3312 pF @ 100 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	1.92W (Ta), 34.7W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-220CFM
Paquete / Caja (carcasa)	TO-220-3 paquete completo

Precio unitario sin IVA:	2,90000 €
Precio unitario con IVA:	3,50900 €

XP65SL190DI