Name: XP4N2R1MT
Brand: YAGEO XSEMI
SKU: 5048-XP4N2R1MTTR-ND
Price: 1.6698 EUR
Availability: InStock

XP4N2R1MT
N.º de producto de DigiKey	5048-XP4N2R1MTTR-ND - Cinta y rollo (TR) 5048-XP4N2R1MTCT-ND - Cinta cortada (CT) 5048-XP4N2R1MTDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	YAGEO XSEMI
Número de pieza del fabricante	XP4N2R1MT
Descripción	FET N-CH 40V 37.5A 170A PMPAK
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 40 V 37.5A (Ta), 170A (Tc) 5W (Ta), 104W (Tc) 8-PMPAK (5x6)
Hoja de datos	Hoja de datos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	YAGEO XSEMI
Serie	XP4N2R1
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	40 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	37.5A (Ta), 170A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	2.1mOhm a 20A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	154 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	9056 pF @ 20 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	5W (Ta), 104W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	8-PMPAK (5x6)
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerLDFN

Precio unitario sin IVA:	1,38000 €
Precio unitario con IVA:	1,66980 €

XP4N2R1MT