Canal N Montaje en superficie 30 V 20.4A (Ta), 43.5A (Tc) 5W (Ta), 22.7W (Tc) 8-PMPAK (5x6)
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Canal N Montaje en superficie 30 V 20.4A (Ta), 43.5A (Tc) 5W (Ta), 22.7W (Tc) 8-PMPAK (5x6)
YAGEO XSemi N- and P-Channel Power MOSFETs PIO | DigiKey

XP3NA7R2MT

N.º de producto de DigiKey
5048-XP3NA7R2MTTR-ND - Cinta y rollo (TR)
5048-XP3NA7R2MTCT-ND - Cinta cortada (CT)
5048-XP3NA7R2MTDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante
YAGEO XSEMI
Número de pieza del fabricante
XP3NA7R2MT
Descripción
FET N-CH 30V 20.4A 43.5A PMPAK
Plazo estándar del fabricante
16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Montaje en superficie 30 V 20.4A (Ta), 43.5A (Tc) 5W (Ta), 22.7W (Tc) 8-PMPAK (5x6)
Hoja de datos
 Hoja de datos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar todo
Categoría
Fabricante
YAGEO XSEMI
Serie
XP3NA7R2
Embalaje
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Estado de pieza
Activo
Tipo FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
20.4A (Ta), 43.5A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
7.2mOhm a 9.5A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
2.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
38.4 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
1600 pF @ 15 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
5W (Ta), 22.7W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor
8-PMPAK (5x6)
Paquete / Caja (carcasa)
8-PowerLDFN
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Cantidad
Todos los precios se expresan en EUR
Cinta cortada (CT)
Cantidad Precio por unidad Precio ext.
10,64000 €0,64 €
100,39700 €3,97 €
1000,25510 €25,51 €
5000,19392 €96,96 €
Cinta y rollo (TR)
Cantidad Precio por unidad Precio ext.
3.0000,13928 €417,84 €
6.0000,12884 €773,04 €
Paquete estándar del fabricante
Precio unitario sin IVA:0,64000 €
Precio unitario con IVA:0,77440 €