Name: XP3NA3R4MT
Brand: YAGEO XSEMI
SKU: 5048-XP3NA3R4MTTR-ND
Price: 0.8712 EUR
Availability: InStock

XP3NA3R4MT
N.º de producto de DigiKey	5048-XP3NA3R4MTTR-ND - Cinta y rollo (TR) 5048-XP3NA3R4MTCT-ND - Cinta cortada (CT) 5048-XP3NA3R4MTDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	YAGEO XSEMI
Número de pieza del fabricante	XP3NA3R4MT
Descripción	MOSFET N-CH 30V 29.2A 73A PMPAK
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 30 V 29.2A (Ta), 73A (Tc) 5W (Ta), 31.25W (Tc) 8-PMPAK (5x6)
Hoja de datos	Hoja de datos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	YAGEO XSEMI
Serie	XP3NA3R4
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	29.2A (Ta), 73A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	3.4mOhm a 19A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.3V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	36.8 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	3360 pF @ 15 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	5W (Ta), 31.25W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	8-PMPAK (5x6)
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerLDFN

Cantidad	Precio por unidad	Precio ext.
3.000	0,15892 €	476,76 €
6.000	0,15125 €	907,50 €

Precio unitario sin IVA:	0,72000 €
Precio unitario con IVA:	0,87120 €

XP3NA3R4MT