Name: XP3NA2R4MT
Brand: YAGEO XSEMI
SKU: 5048-XP3NA2R4MTTR-ND
Price: 1.1011 EUR
Availability: InStock

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XP3NA2R4MT
N.º de producto de DigiKey	5048-XP3NA2R4MTTR-ND - Cinta y rollo (TR) 5048-XP3NA2R4MTCT-ND - Cinta cortada (CT) 5048-XP3NA2R4MTDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	YAGEO XSEMI
Número de pieza del fabricante	XP3NA2R4MT
Descripción	FET N-CH 30V 36.5A 118A PMPAK
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 30 V 36.5H (Ta), 118H (Tc) 5W (Ta), 52W (Tc) 8-PMPAK (5x6)
Hoja de datos	Hoja de datos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Rds On (máx) @ Id, Vgs 2.4mOhm a 20A, 10V
Fabricante YAGEO XSEMI	Vgs(th) (máx) a Id 3V a 250µA
Serie XP3NA2R4	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 65.6 nC @ 4.5 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±20V
Estado de pieza Activo	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 5600 pF @ 15 V
Tipo FET Canal N	Disipación de potencia (Máx.) 5W (Ta), 52W (Tc)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 36.5H (Ta), 118H (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor 8-PMPAK (5x6)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V	Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerLDFN

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Cinta cortada (CT) & Digi-Reel®

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Cinta y rollo (TR)

Cantidad	Precio por unidad	Precio ext.
3.000	0,21006 €	630,18 €

Paquete estándar del fabricante

Precio unitario sin IVA:	0,91000 €
Precio unitario con IVA:	1,10110 €

XP3NA2R4MT