Name: XP3N5R0AMT
Brand: YAGEO XSEMI
SKU: 5048-XP3N5R0AMTTR-ND
Price: 0.8107 EUR
Availability: InStock

XP3N5R0AMT
N.º de producto de DigiKey	5048-XP3N5R0AMTTR-ND - Cinta y rollo (TR) 5048-XP3N5R0AMTCT-ND - Cinta cortada (CT) 5048-XP3N5R0AMTDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	YAGEO XSEMI
Número de pieza del fabricante	XP3N5R0AMT
Descripción	MOSFET N-CH 30V 25A 63.5A PMPAK
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 30 V 25A (Ta), 63.5A (Tc) 5W (Ta), 31.2W (Tc) 8-PMPAK (5x6)
Hoja de datos	Hoja de datos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	YAGEO XSEMI
Serie	XP3N5R0A
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	25A (Ta), 63.5A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	5mOhm a 19A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.3V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	64 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	2800 pF @ 15 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	5W (Ta), 31.2W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	8-PMPAK (5x6)
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerLDFN

Cantidad	Precio por unidad	Precio ext.
3.000	0,14733 €	441,99 €
6.000	0,13797 €	827,82 €

Precio unitario sin IVA:	0,67000 €
Precio unitario con IVA:	0,81070 €

XP3N5R0AMT