Name: XP3N2R8AMT
Brand: YAGEO XSEMI
SKU: 5048-XP3N2R8AMTTR-ND
Price: 1.0285 EUR
Availability: InStock

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XP3N2R8AMT
N.º de producto de DigiKey	5048-XP3N2R8AMTTR-ND - Cinta y rollo (TR) 5048-XP3N2R8AMTCT-ND - Cinta cortada (CT) 5048-XP3N2R8AMTDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	YAGEO XSEMI
Número de pieza del fabricante	XP3N2R8AMT
Descripción	MOSFET N-CH 30V 32.8A 60A PMPAK
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 30 V 32.8H (Ta), 60H (Tc) 5W (Ta), 50W (Tc) 8-PMPAK (5x6)
Hoja de datos	Hoja de datos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Rds On (máx) @ Id, Vgs 2.8mOhm a 20A, 10V
Fabricante YAGEO XSEMI	Vgs(th) (máx) a Id 3V a 250µA
Serie XP3N2R8A	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 40 nC @ 4.5 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±20V
Estado de pieza Activo	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 4080 pF @ 15 V
Tipo FET Canal N	Disipación de potencia (Máx.) 5W (Ta), 50W (Tc)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 32.8H (Ta), 60H (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor 8-PMPAK (5x6)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V	Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerLDFN