Canal N Montaje en superficie 30 V 54.2A (Ta), 245A (Tc) 5W (Ta), 104W (Tc) 8-PMPAK (5x6)
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Canal N Montaje en superficie 30 V 54.2A (Ta), 245A (Tc) 5W (Ta), 104W (Tc) 8-PMPAK (5x6)
YAGEO XSemi N- and P-Channel Power MOSFETs PIO | DigiKey

XP3N1R0MT

N.º de producto de DigiKey
5048-XP3N1R0MTTR-ND - Cinta y rollo (TR)
5048-XP3N1R0MTCT-ND - Cinta cortada (CT)
5048-XP3N1R0MTDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante
YAGEO XSEMI
Número de pieza del fabricante
XP3N1R0MT
Descripción
FET N-CH 30V 54.2A 245A PMPAK
Plazo estándar del fabricante
16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Montaje en superficie 30 V 54.2A (Ta), 245A (Tc) 5W (Ta), 104W (Tc) 8-PMPAK (5x6)
Hoja de datos
 Hoja de datos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar todo
Categoría
Fabricante
YAGEO XSEMI
Serie
XP3N1R0
Embalaje
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Estado de pieza
Activo
Tipo FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
54.2A (Ta), 245A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
1.05mOhm a 20A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
2.2V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
120 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
12320 pF @ 15 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
5W (Ta), 104W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor
8-PMPAK (5x6)
Paquete / Caja (carcasa)
8-PowerLDFN
Número de producto base
XP3N
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Cantidad
Todos los precios se expresan en EUR
Cinta cortada (CT)
Cantidad Precio por unidad Precio ext.
11,67000 €1,67 €
101,06200 €10,62 €
1000,71380 €71,38 €
5000,56470 €282,35 €
Cinta y rollo (TR)
Cantidad Precio por unidad Precio ext.
3.0000,48829 €1.464,87 €
Paquete estándar del fabricante
Precio unitario sin IVA:1,67000 €
Precio unitario con IVA:2,02070 €